大功率LED封装技术发展最新趋势

      硅基LED之所以引起业界越来越多的关注，是因为它比传统的蓝宝石基底LED的散热能力更强，因此功率可做得更大，Cree就重点在发展硅基LED，它目前存在的主要问题是良率还较低，导致成本还偏高。硅衬底的技术其实发展得蛮早，但是一直没有发展起来，主要是因为有以下几个重要问题：一是硅的缺陷比较多，它的发光效率比较差。二是用硅做外延成长时，由于硅本身会吸收光线，因此必须把硅拿掉，用别的基材(不管是用金属还是其他基材)来做光源的承载体。这里必须做一个基板的转换，这个工艺本身并非那么容易。而且，当你增加一道工艺将硅衬底换成别的衬底时，基本上使用硅的好处就没有了。而用蓝宝石做衬底不需要另换基板，制造工艺简单，随着蓝宝石成本的不断下降，硅的低成本优势将变得不明显。

   COB光源相对于LED集成光源生产成本相对较低，散热功能明显，并且具有高封装密度和高出光密度的特性，易于进行个性化设计，是未来封装发展的主导方向之一。目前存在的问题是COB在降低一次光学透镜的多次折射而造成的出光损失，因此在出光效率和热能增加方面仍待改善，基板的制作良率也有待提升。

  覆晶型LED芯片封装是业界极力发展的目标之一。覆晶型芯片的制作较立体型简单许多，且可避掉复杂工艺，使得量产可行性大幅提升，加上后端芯片工艺辅助，搭配上eutectic固晶方式，大大简化了覆晶型芯片封装的技术门坎，在未来节能减碳的驱动下，覆晶型芯片封装会是很好的解决方案。

  高压LED的封装也是一大重点。高压产品的问世，就是以全新的思维解决固态照明因降压电路的存在而造成多余能量耗损的问题，并进而协助终端消费者降低购买成本，使得不同区域在不同的电压操作条件下，都能得到快速且方便的应用。高压LED是我们帮助业界解决散热和光效难题的最新尝试，目前主要针对照明市场开发50V左右和70V左右的两种高压1WLED。这使得客户可通过不同的排列组合搭配轻易满足220V或110V市电的要求。我们根据电路控制设计专家和芯片设计专家的意见，设定了这两种电压区间的LED，使之与市电最容易匹配，这是我们目前主推的，也是我们最先提出来的，很多厂家在跟随。目前Cree和Osram也在做高压LED，国内也有2到3家在做。我们目前有一些使用高压LED的球泡灯案例，且已经有成品在市场中进行销售。国际知名的一些灯泡厂商都在使用我们的产品。产品升级，售价逐级下调。

  2014年，LED封装产品的竞争主要集中在LED背光和LED照明两个主战场。2014年市场上的主流液晶电视背光规格LED元件将由新的规格(7030)产品接棒。至于在照明领域，(5630)产品在价格下降至一定幅度后，未来于LED照明市场的应用比重将逐渐增加，预计将会向下挤压到(3014)与(3020)等LED封装产品在照明市场的应用。大量规格化则是耗损的问题，并进而协助终端消费者降低购买成本。当前，电视背光(5630)跌幅约4%，(7030)在没有量产的情况下，平均报价看来并不是很有竞争力，但如果顺利量产后，预计到2015年底可望大幅度下跌；笔记型电脑(NB)应用崛起，使得高亮度0.8tLED最大降幅达8%；手机部分，由于规格逐渐成熟，因此价格降幅约为5~6%；大功率LED部分，厂商致力于规格提升和旧品清仓，整体而言平均报价跌幅约10%左右；至于液晶屏背光产品，已经有品牌厂导入高电流驱动3014封装体，可减少约一半的LED使用数量；由于背光规格(5630)趋于成熟，且报价跌幅已大，使得越来越多照明应用制造商使用(5630)来制作LED灯管或是球泡灯，预估2015上半年报价跌幅在10%左右。

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